Силовой модуль IGBT BSM50GP120

Характеристики

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

RoHS

Подробности

Торговая марка

Infineon Technologies

Продукт

IGBT Silicon Modules

Конфигурация

Hex

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.5 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

80 A

Ток утечки затвор-эмиттер

300 nA

Рассеяние мощности

360 W

Максимальная рабочая температура

+ 125 C

Упаковка блок

EconoPIM3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+- 20 V

Минимальная рабочая температура

— 40 C

Вид монтажа

Screw

Размер фабричной упаковки

500

Бренд	Infineon

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №1	10-12 дней	9.900,00руб.	9.207,00руб.	8.712,00руб.	8.415,00руб.	8.118,00руб.	7.969,50руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №2	7-10 дней	11.187,00руб.	10.098,00руб.	9.900,00руб.	9.504,00руб.	9.207,00руб.	9.009,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №3	7-10 дней	12.078,00руб.	10.890,00руб.	10.593,00руб.	10.296,00руб.	9.702,00руб.	9.108,00руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №4	7-10 дней	11.781,00руб.	10.593,00руб.	10.395,00руб.	9.999,00руб.	9.603,00руб.	9.058,50руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №5	5 дней	16.830,00руб.	15.147,00руб.	14.850,00руб.	14.256,00руб.	13.761,00руб.	12.573,00руб.