МОП-транзисторы SJ на 700 В и 800 В

Компания MagnaChip Semiconductor из Кореи анонсировала восемь высоковольтных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (SJ MOSFET) серии 700 В и 800 В, оптимизированных для телевизоров, светодиодного освещения и быстрых зарядных устройств. MagnaChip начала разработку полевых транзисторов SJ MOSFET в 2013 году. Общий объем поставок на данный момент достиг 1,5 миллиарда единиц, и сейчас компания запускает новые поколения высоковольтных полевых транзисторов SJ MOSFET.

МОП-транзисторы SJ на 800 В предназначены для внутреннего светодиодного освещения, устройств быстрой зарядки и других промышленных применений с высоким или нестабильным входным напряжением.
Они оснащены встроенным стабилитроном между затвором и истоком, чтобы избежать повреждения от внешнего скачка или электростатического разряда, тем самым повышая надежность и надежность.

MagnaChip снизил общий заряд затвора на 30% по сравнению с предыдущими версиями, что повышает энергоэффективность и снижает потери при переключении.