Личный кабинет
STMicroelectronics представила асимметричную пару полумостовых силовых транзисторов GaN в небольшом (9 x 9 x 1 мм GQFN) корпусе, который включает в себя схемы драйвера и защиты.
Названные MasterGaN2, это транзисторы:
- 225 мОм 6,5 А на стороне высокого напряжения
- 150 мОм 10 А на стороне низкого напряжения
«MasterGaN2 является первым в новом семействе, содержащим два асимметричных транзистора из нитрида галлия, представляющих собой интегрированное решение на основе GaN, подходящее для топологий преобразователей с плавным переключением и активным выпрямлением», — говорится в сообщении компании. «Разработчик может легко подключить внешние устройства, включая датчики Холла и контроллер, такой как DSP, FPGA или микроконтроллер, непосредственно к устройству MasterGaN».
Его входы совместимы с логическими сигналами от 3,3 до 15 В.
Встроенная защита включает в себя: блокировку низкого напряжения при пониженном напряжении, блокировку пониженного напряжения на верхней стороне, блокировки управления затвором и перегрев. Это также специальный вывод отключения и встроенный диод начальной загрузки.
Оптимизированный для высоковольтных приложений, корпус имеет расстояние утечки более 2 мм между контактными площадками высокого и низкого напряжения.
Номинальная цена от 6,50 $ при заказе от 1000 штук.
Загрузка