FF200R12KE3-IGBT-Moudle-100-New-Original-Genuine-Distributor-Free-Ship-1PCS-LOT-JINYUSHI-STOCK

Силовой модуль IGBT FF200R12KE3B2HOSA1

Поставка электронных компонентов в Владивосток

6.792,00 руб.

x 6.792,00 = 6.792,00
Артикул: 1087094 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Владивосток уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней6.792,00руб.6.316,56руб.5.976,96руб.5.773,20руб.5.569,44руб.5.467,56руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней7.674,96руб.6.927,84руб.6.792,00руб.6.520,32руб.6.316,56руб.6.180,72руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней8.286,24руб.7.471,20руб.7.267,44руб.7.063,68руб.6.656,16руб.6.248,64руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней8.082,48руб.7.267,44руб.7.131,60руб.6.859,92руб.6.588,24руб.6.214,68руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней11.546,40руб.10.391,76руб.10.188,00руб.9.780,48руб.9.440,88руб.8.625,84руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней11.478,48руб.10.323,84руб.10.106,50руб.9.712,56руб.9.372,96руб.8.557,92руб.

Характеристики

Manufacturer
EupecInfineon
Product Category
IGBT Transistors
RoHS
No
Package Case
IS5a ( 62 mm )
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Continuous Collector Current Ic Max
200 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Power Dissipation
1.05 KW

Дополнительная информация

Бренд

Infineon