IRFP3006PBF, МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 60 В

Поставка электронных компонентов в Владивосток

580,00 руб.

Артикул: 1134432 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Владивосток уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	580,00руб.	539,40руб.	522,00руб.	510,40руб.	493,00руб.	464,00руб.	452,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	1.090,40руб.	1.003,40руб.	986,00руб.	962,80руб.	928,00руб.	875,80руб.	852,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.107,80руб.	1.020,80руб.	997,60руб.	974,40руб.	928,00руб.	881,60руб.	864,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	696,00руб.	638,00руб.	626,40руб.	609,00руб.	591,60руб.	556,80руб.	539,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	1.009,20руб.	928,00руб.	904,80руб.	887,40руб.	858,40руб.	806,20руб.	783,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	632,20руб.	585,80руб.	568,40руб.	556,80руб.	539,40руб.	504,60руб.	493,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFP3006PBF, МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 60 В The IRFP3006PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	to-247ac
Рассеиваемая Мощность	375Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	195А