Сверхкомпактные SiC MOSFET повышают плотность мощности и эффективность промышленного оборудования

Toshiba Electronics Europe GmbH объявила о начале объемных поставок третьего поколения SiC MOSFET 650 В в компактном корпусе DFN8x8 для промышленного оборудования, включая TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C и TW123V65C. Важной характеристикой процесса следующего поколения компании является стабильно низкий температурный коэффициент сопротивления сток-исток в открытом состоянии (RDS(ON)) устройств. Таким образом, низкий RDS(ON) x заряд затвор-сток (Qgd) FoM позволяет инженерам повышать плотность мощности и эффективность многочисленных высоковольтных приложений, включая ИБП, зарядные станции для электромобилей, ИБП и инверторы для фотоэлектрических систем.

Корпус поверхностного монтажа DFN8x8 уменьшает объем более чем на 90% по сравнению с существующими корпусами со вставленными выводами, такими как TO-247 и TO-247-4L(X), улучшая плотность мощности оборудования и позволяя автоматизировать сборку. Поверхностный монтаж также снижает паразитный импеданс, тем самым уменьшая потери на переключение и способствуя низкому FoM, что, в свою очередь, повышает эффективность. При меньшем количестве тепла, требующего рассеивания, конструкции высоковольтных систем питания могут быть проще и компактнее, что делает их пригодными для приложений с ограниченным пространством или дальнейшей миниатюризации.

Кроме того, многоконтактное устройство допускает подключение Кельвина его контакта источника сигнала для управления затвором. Эта возможность снижает влияние индуктивности в проводе источника внутри корпуса, обеспечивая высокую скорость переключения. В результате, при определенных условиях тестирования (VDD=400 В, VGG=+18/0 В, ID=20 А, RG =4,7 Ом, L=100 мкГн), один из новых продуктов, TW054V65C, снижает потери включения примерно на 55% и потери выключения примерно на 25% по сравнению с существующими продуктами Toshiba, тем самым помогая снизить потери мощности в оборудовании.